场发射栅孔阵列的制备

摘要：

采用硅的局部氧化技术以及湿法刻蚀技术,利用2.6 μm的光刻掩模板在n型硅片上形成了栅极孔径为1 μm的场发射阴极的栅极空腔阵列,实现了用大阵点尺寸的栅极掩模板制备较小尺寸栅孔阵列.硅的湿法刻蚀溶液采用各向同性的硝酸和氢氟酸混合溶液,刻蚀后空腔的深度和宽度均随刻蚀时间线性增加.同时,由于刻蚀溶液具有较高的Si/SiO2 刻蚀选择比,栅极孔径随刻蚀时间增大的速度远低于深度和宽度增大的速度,栅极孔径主要取决于掩模的尺寸和氧化层的厚度.通过选择掩模板的尺寸以及氧化层的厚度,采用局部氧化技术和湿法刻蚀技术能够制备出微米或亚微米的场发射阴极的栅极空腔阵列.

关键词：场发射阵列、栅极孔、局部氧化、湿法刻蚀

所属期刊栏目：20

分类号：TL530.3;O462.1(加速器)

资助基金：国防科技基础研究基金;电子科技大学青年基金YF020503

在线出版日期：2008-05-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：140-142