γ射线辐照对a-SiC:H薄膜结构与特性的影响

摘要：

采用射频(13.56 MHz)反应溅射方法制备a-SiC:H 薄膜,并将其在空气中进行高能γ射线(平均为1.25 MeV)辐照,5个样品的吸收剂量分别为0,2×104,4×104,6×104,8×104 Gy.采用拉曼及红外光谱对薄膜的结构进行表征,得到了其结构与特性的变化规律.研究与分析表明:随样品吸收剂量的增加,陷入空穴中的电子会被激发,a-SiC:H薄膜中的SiC成份增加,电阻率变小,数量级为105Ω*cm;薄膜存在结晶化的趋势,其主要原因在于由Si-O-Si键断裂而产生的Si取代膜中C-C键中的C而形成晶态SiC,在此过程中出现了Si-O-Si键及a-SiC:H的减少,晶态SiC的增加.经γ射线辐照后薄膜的氢含量降低,折射率从5.19增大到5.53,辐照后薄膜的透过率均低于原膜的透过率.在500～2 300 cm-1(对应波长为20.00～5.29 μm)波段内,a-SiC:H薄膜存在一定的增透作用.

关键词：a-SiC:H薄膜、γ射线辐照、Raman与IR光谱、结晶、红外透过率

所属期刊栏目：17

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：湛江师范学院校科研和教改项目;航空航天科学基金98G51124

在线出版日期：2005-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：939-942