快上升沿电磁脉冲作用下PIN二极管中的电流过冲现象

摘要：

为了研究瞬态电磁脉冲对PIN二极管的干扰,利用基于扩散漂移模型的基本半导体方程,采用半导体器件一维瞬态数值仿真的方法,对快上升沿阶跃电磁脉冲作用下PIN二极管中的电流密度和电荷密度分布的变化进行了研究,分别观察了正反偏电压脉冲作用下过冲电流的产生过程并进行了分析.分析表明,过冲电流是和PIN二极管在高频下的容性表现相关的,无论是在正电压还是负电压情况下,脉冲上升沿时间越短、初始正偏压越高,则过冲电流密度的峰值越高.

关键词：快上升沿电磁脉冲、PIN二极管、干扰、过冲电流、器件数值仿真

所属期刊栏目：17

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划

在线出版日期：2005-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：783-787