XUV成像系统中像传递函数研究用的Si刻蚀膜

摘要：

研制具有网格或条状图形的Si刻蚀膜靶,用于XUV系统中像传递函数的研究.在自截止腐蚀工艺制备Si平面薄膜的基础上,结合离子束刻蚀工艺,获得刻蚀深度为1.0 μm左右,网格尺寸为25 μm×25 μm,或条状线宽为5 μm的Si刻蚀膜;测量了Si刻蚀膜的形貌和刻蚀深度;研究了离子束刻蚀参数对图形形貌的影响.并介绍采用两种靶型获得的像传递函数信息.

关键词：像传递函数、离子束刻蚀、Si刻蚀膜

所属期刊栏目：17

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划;同济大学校科研和教改项目

在线出版日期：2005-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：47-50