用激光微细加工制作平面型InGaAs/InP PIN 光探测器

摘要：

采用激光微细加工技术来制作单片集成光接收机的探测器,在制作过程中,用固态杂质源10.6 μm激光诱导Zn扩散工艺来进行探测器的p-区掺杂.制作出平面型顶部入射的InGaAs/InP PIN 光探测器,响应度为0.21 A/W.分析了激光诱导扩散中影响探测器性能的因素,因此提出了扩散温度自动控制、扩散区温度分布均匀化及激光焦斑与扩散区精确对准等相应的改进方法.

关键词：激光微细加工、单片集成光接收机、PIN 光探测器、激光诱导扩散

所属期刊栏目：17

分类号：TN21(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金60277008;教育部科学技术研究项目03147;中国电子科技集团资助项目

在线出版日期：2005-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：13-16