半导体器件HPM损伤脉宽效应机理分析
HPM能量在半导体器件损伤缺陷区的热量沉积以及向周围材料的热量扩散,是造成半导体器件损伤脉宽效应的机理;分别得到了全脉宽段、长脉宽段和短脉宽段的损伤经验公式,该损伤经验公式能较好地对实验和理论模拟效应数据进行拟合。
半导体器件、HPM、脉冲宽度、损伤效应
13
TN015(一般性问题)
国家高技术研究发展计划863计划863-410-741
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
353-356
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半导体器件、HPM、脉冲宽度、损伤效应
13
TN015(一般性问题)
国家高技术研究发展计划863计划863-410-741
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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