埋点靶中CH薄膜的制备工艺研究

摘要：

CH薄膜的制备是埋点靶制备的关键技术之一，主要研究了钨丝辅助裂解制备CH薄膜的制备工艺。研究表明蒸发舟温度和衬底温度对沉积速率影响较大，而衬底距离对沉积速率影响较小；红外光谱和质谱分析表明薄膜的主要成分是聚对二甲苯。

关键词：CH薄膜、沉积速率、埋点靶

所属期刊栏目：13

分类号：TL639.11(受控热核反应（聚变反应理论及实验装置）)

资助基金：国防科技应用基础研究基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：68-71