平面Au靶再发射的数值模拟
利用一维多群辐射输运程序,数值研究了平面Au靶入射流强度对再发射谱、再发射流、反照率及边界等效温度的影响。当入射流强度在(0.12-1.2)×1014Wcm2范围内,发射谱接近平衡谱,但在峰值附近谱形发生畸变。随着入射流强度降低,发射谱偏离平衡谱越来越大。分析表明,这与烧蚀深度和冕区光学厚度变小有关。还给出了在不同入射流强度情况下反照率及边界等效温度随时间变化规律和对吸收流及再发射流脉冲的分析。
再发射流、再发射谱、反照率、边界等效温度
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TL632.11(受控热核反应(聚变反应理论及实验装置))
国家高技术研究发展计划863计划;国家自然科学基金19735002
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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