X射线在重金属-二氧化硅界面的剂量增强的模拟计算

摘要：

当X射线射入不同材料组成的界面时，在低牂材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理，并用MCNP蒙特-卡罗程序计算了钨-二氧化硅、钽-二氧化硅界面的剂量增强因子。计算结果表明在X射线能量为100～150keV时，界面附近二氧化硅一侧存在较大的剂量增强。

关键词：X射线、界面、辐射损伤、剂量增强因子

所属期刊栏目：13

分类号：O434.1(光学)

资助基金：国防科工委预研项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：15-18