10.19981/j.CN23-1581/G3.2023.13.023
高电子迁移率晶体管的研究进展
高电子迁移率晶体管(HEMT)作为半导体功率器件,能够应用在高温、高压和高频等环境.到目前为止,第二代半导体材料GaAs、InP基HEMTs体系的发展已相当成熟,随着第三代半导体GaN基HEMT体系的数据及理论不断完善,其在相关领域的应用正逐渐占据市场的主导地位,而随着对超宽禁带半导体Ga2O3理论的完善及无铱工艺的出现,Ga2O3基HEMT器件在电力电子、射频微波等领域展现出巨大的发展潜力.
高电子迁移率晶体管、氮化镓、氧化镓、HEMT、研究进展
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U455.6(隧道工程)
2023-05-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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