高电子迁移率晶体管的研究进展

摘要：

高电子迁移率晶体管(HEMT)作为半导体功率器件,能够应用在高温、高压和高频等环境.到目前为止,第二代半导体材料GaAs、InP基HEMTs体系的发展已相当成熟,随着第三代半导体GaN基HEMT体系的数据及理论不断完善,其在相关领域的应用正逐渐占据市场的主导地位,而随着对超宽禁带半导体Ga2O3理论的完善及无铱工艺的出现,Ga2O3基HEMT器件在电力电子、射频微波等领域展现出巨大的发展潜力.

关键词：高电子迁移率晶体管、氮化镓、氧化镓、HEMT、研究进展

所属期刊栏目：13

分类号：U455.6(隧道工程)

在线出版日期：2023-05-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：99-104