半导体硅材料的杂质及其纯度计算

摘要：

主要阐述硅材料在不同领域扮演着举足轻重的作用,随着新能源和电子信息时代的发展,硅材料对推动信息化革命至关重要.从硅材料的应用研究方向出发,参考GB/T 12963—2014《电子级多晶硅》,以众多科研工作者的研究为基础,综合考虑基体金属、表面金属、电阻率、碳浓度和氧浓度,对半导体硅材料纯度的影响,经研究表明,在一定杂质含量的基础上,以影响电阻率的施受主杂质浓度计算半导体硅材料的纯度是可信的,采用重量占比和原子占比2种不同的方式计算电子一级多晶硅纯度为99.9999999835％,纯度表示为9N,当施受杂质浓度小于10 ppta时,硅的纯度为99.999999999228％,纯度最低表示为11N.综上所述,以影响电阻率的施受主杂质浓度计算半导体硅材料的纯度,那么半导体材料的纯度最低要求为9N,随着半导体行业的需求,其纯度将可达11N.

关键词：半导体、电阻率、纯度、计算、表示方法

所属期刊栏目：12

分类号：O613.72(无机化学)

在线出版日期：2022-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：71-74