GaN MOS-HEMT生物传感器对于GOX的灵敏度检测

摘要：

文章介绍一种高分辨率的AlGaN/AlN/GaN金属氧化物半导体——高电子迁移率晶体管(HEMT),并研究GaN MOS-HEMT生物传感器对于葡萄糖生物标志物GOX(葡萄糖氧化酶)灵敏度检测的可行性.与传统用于葡萄糖检测的生物传感器进行对比发现,以HfO2作为栅极电解质,可以改善器件性能,增强MOS-HEMT器件的漏极电流,提升器件的灵敏度.

关键词：高电子迁移率晶体管(HEMT)、葡萄糖、GOX、HfO2、灵敏度

所属期刊栏目：12

分类号：TB33(工程材料学)

在线出版日期：2022-05-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：13-15,20