ITO镀膜工艺对LED器件光电性能的影响
通过电子束蒸镀和直流磁控溅射方法分别制备ITO薄膜,分析表面形貌和测试XRD图谱,对比ITO薄膜的成膜性、晶化程度、晶粒尺寸和晶面取向等的差异.发现磁控溅射的(222)晶面衍射峰强度比电子束镀膜的明显加强,磁控溅射的晶粒尺寸更大更均匀.将ITO薄膜分别应用到550um*760um GaN发光二极管中,小电流注入时,磁控溅射ITO的近场分布与电子束蒸镀TIO的近场分布差异较小,当电流密度超过7A/cm2后,磁控溅射的ITO横向扩散比电子束蒸镀的ITO好,整体近场分布较均匀;当电流密度超过23.5A/cm2后,磁控溅射ITO的LED亮度提高,器件的过载能力比较强.
氧化铟锡;电子束;磁控溅射;发光二极管
11
TN312.8(半导体技术)
2021-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
112-114,117
