抑制SiC MOSFET瞬态电压尖峰的改进驱动电路设计

摘要：

与硅器件相比,碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)具有更高的开关频率与开关速度,使得传统驱动下SiC MOSFET受寄生参数影响电压尖峰问题更为严重.而现有抑制瞬态电压尖峰方法作用有限,往往会增加开关延时与开关损耗且控制程度复杂.因此文章结合有源箝位电路与注入栅极电流抑制电压尖峰的方法,提出了一种改进驱动电路.首先阐明SiC MOSFET瞬态电压尖峰产生原理.其次,在有源箝位电路与注入栅极电流抑制电压尖峰前提下,基于控制辅助三极管开通与关断,注入栅极电流思想,提出一种在栅源极增加三极管串联电容的改进驱动电路方法,并分析了其工作原理,给出了设计参数.最后,搭建了双脉冲测试平台,对抑制瞬态电压尖峰的改进驱动电路实用性及有效性进行了验证.

关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应管、电压尖峰、驱动电路

所属期刊栏目：11

分类号：TM46(变压器、变流器及电抗器)

在线出版日期：2021-06-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：21-23,27