碳化硅功率器件的发展与数值建模

摘要：

近年来,碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体材料的发展引起了人们的广泛关注.凭借其高导热性、高击穿电场和可生长天然氧化物的能力,在航天航空及通信等领域得到了广泛应用.然而,碳化硅功率器件在开发中也有一定的局限性,碳化硅功率器件的高界面态成为制约器件性能的主要因素.因此,碳化硅器件还需要更加深入地了解与应用.文章比较了第三代半导体材料碳化硅与第一代元素半导体硅材料的物理特性,并提出了研究碳化硅材料数值分析所需的模型,为今后碳化硅功率器件的研究打下基础.

关键词：碳化硅、功率器件、宽禁带、物理特性

所属期刊栏目：11

分类号：TN303(半导体技术)

在线出版日期：2021-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：67-68,71