第一性原理计算V掺杂Ca2Si几何结构与能带结构

摘要：

文章采用第一性原理方法计算了V掺杂Ca2Si几何结构和能带结构.计算结果表明,V掺杂后晶胞体积、总能量减小.能带结构上,V置换CaⅠ的带隙变宽为0.42eV,V置换CaⅡ的带隙变窄为0.17eV,费米能级都进入导带,导电类型为n型.

关键词：第一性原理、掺杂、能带结构、几何结构

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：贵州省教育厅创新群体重大研究项目黔教合KY字[2016]048号;安顺学院创新团队2015PT02号资助课题

在线出版日期：2019-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：36-37