利用统计学的方法解决AlCu薄膜溅射过程中的缺陷
物理汽相沉积(Physical Vapor Deposition)工艺在集成电路制造工艺流程中的作用是形成金属层,作为导电介质.它通过磁控溅射的方法在晶圆表面形成一层平整的金属层.而MIM层作为元器件的电容结构,它的金属膜厚度最薄,在整个金属导线层中对金属缺陷的要求最高.任何微小的缺陷都会导致电容的击穿电压发生异常或存储能力受到不良影响.在所有的缺陷类型中存在一种裂纹缺陷,该缺陷发生机率高达2%.文章通过统计学方法,找到影响缺陷的主要因素并通过优化金属膜的溅射条件,最终解决裂纹缺陷.
MIM结构、裂纹、缺陷、DOE、实验设计、主成分分析
TN4(微电子学、集成电路（IC）)
2017-11-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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