CV法测试电阻率的稳定性研究
文章采用化学气相沉积(CVD)方法,生长N/N+型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量.在此过程中,我们采用H2O2水浴处理硅外延片表面,形成10~15A的氧化层,并对比分析了装汞量、吸附汞真空压力以及水平校准方式对电阻率测试结果的影响.
硅外延片、电容-电压法、势垒电容
TN3;TN4
2016-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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