宽禁带半导体的本征载流子浓度

摘要：

列举了有代表性的宽禁带半导体本征载流子浓度的理论公式，简要叙述了温度与禁带宽度变化的关系，讨论了本征载流子浓度对电力电子器件参数特性的影响，并通过与硅材料的对比说明了宽禁带半导体的优异性能。

关键词：宽禁带半导体、本征载流子、禁带宽度、电力电子器件

分类号：TN2;TN7

在线出版日期：2015-02-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：26-26,27