硅深刻蚀技术中钝化工艺的研究
穿透硅通孔技术是实现3D 集成封装的关键技术之一,而交替复合深刻蚀技术是实现穿透硅通孔的重要方式。本文分别采用 CF4、C4F8和 O2研究交替复合深刻蚀中的钝化工艺,用 X 射线能谱测试仪分析了不同气体在硅表面产生的钝化薄膜,为硅深刻蚀技术的实现奠定了基础。
穿透硅通孔(TSV)、交替复合深刻蚀、钝化工艺
TN3;TN4
2013-07-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
6-6,7
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穿透硅通孔(TSV)、交替复合深刻蚀、钝化工艺
TN3;TN4
2013-07-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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