GaN晶片的CMP加工工艺研究

摘要：

研究了GaN晶片的化学机械抛光(CMP)工艺,分析了在CMP加工工艺过程中对GaN晶片表面质量所产生的影响.实验采用质量分数30％的H2O2溶液与铁经过Fenton化学反应20 min后作为抛光液,并分别利用2种不同磨粒粒度W5和W0.5对晶片表面抛光,对不同工艺参数加工后的晶片表面进行测试分析,并推测加工过程中晶片表面可能发生的化学反应.

关键词：化学机械抛光、GaN晶片、Fenton反应

所属期刊栏目：29

分类号：TG580.6(金属切削加工及机床)

在线出版日期：2012-02-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：48-51,56