室温脉冲激光原位沉积技术制备Cu2(Zn1-xFex)SnS4/Bi2S3异质结及其光电性能

摘要：

采用具有磁性的Fe取代Cu2ZnSnS4(CZTS)中Zn组分,制备Cu2(Zn1-xFex)SnS4(CZFTS)薄膜.将电子传输层Bi2S3与CZFTS耦合,采用室温脉冲激光沉积技术(RT-PLD)制备了 CZFTS/Bi2S3异质结构.研究了 Fe掺杂对于CZFTS薄膜形貌、结晶度和吸光度的影响.测试了单层薄膜和异质结构的光电响应特性,实验表明与单层CZFTS薄膜相比,CZFTS/Bi2S3异质结在可见光区域内的光电响应速度至少提高了一个数量级,响应时间缩短至几十ms.

关键词：Cu2ZnSnS4(CZTS)、Cu2(Zni-xFex)SnS4(CZFTS)、CZFTS/Bi2S3 异质结、脉冲激光沉积、光电转换、光电探测

所属期刊栏目：44

分类号：TN36(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61604086

在线出版日期：2023-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：30-37