单层二硫化钼的制备及其晶界的原位光学表征

摘要：

近年来, 新兴的二维过渡金属硫族化合物 (TMDs) 材料一直是研究的热点.其中, 二硫化钼 (MoS2) 的优异性能引起了人们的广泛关注.TMDs材料制备方法多样, 然而所制备的材料都不可避免地存在着晶界缺陷.晶界的存在会对材料的性能产生很大影响, 人们通过各种方法来研究它.传统的研究方法存在很多局限性如操作复杂、耗时、引入人为缺陷等.这里报道了一种通过光学显微镜直接观察MoS2晶界的方法:通过化学气相沉积法 (CVD) 成功制备了大面积单层MoS2, 将铜沉积在MoS2的表面在光学显微镜下可以直接观察到MoS2的晶界, 实现了对其晶界的原位光学显微观测.同时, 借助扫描电子显微镜 (SEM) 等进一步证实了该方法的简便可靠性.

关键词：化学气相沉积、二硫化钼、晶界、光学显微镜、原位观测

所属期刊栏目：40

分类号：O063

资助基金：国家自然科学基金项目21573253

在线出版日期：2019-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：53-56