SiC纳米线初期微观生长模式的理论计算与模拟研究

摘要：

运用从头算分子动力学模拟的方法,模拟研究了气-液-固(VLS)生长机制下碳化硅纳米线(SiC NWs)在镍催化剂表面最初生长阶段的微观生长机理.结果表明:活性碳原子在镍催化剂表面上各位置的吸附能均大于活性硅原子,所以碳原子优先吸附在镍催化剂表面;随后,由于活性硅原子在已吸附在镍催化剂表面的碳原子上的吸附能要大于活性碳原子在其上的吸附能,使得活性硅原子优先吸附在碳原子上,形成活性碳原子与活性硅原子交替吸附生长的模式.

关键词：碳化硅(SiC)纳米线、从头算分子动力学、模拟研究

所属期刊栏目：38

分类号：O561.1(分子物理学、原子物理学)

资助基金：国家自然科学基金项目51572137,51502149,51272117,51172115;山东省自然科学基金项目ZR2015PE003,ZR2011EMZ001,ZR2013EMQ006;山东省自然科学杰出青年基金项目BS2013CL040;山东省科技攻关项目基金项目2012GGX10218

在线出版日期：2017-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：71-75