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10.3969/j.issn.1672-6987.2011.06.003

SiO2/Si基Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15薄膜的制备及C-V特性研究

引用
利用sol-gel方法在SiO2/Si基板上制备了Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15 (CSBT)铁电薄膜,其中Si(100)为P型.利用XRD、SEM测试手段研究了CSBT铁电薄膜的结构与形貌,测试了Au/CSBT/SiO2/Si/Au结构的介电特性和C-V曲线.

CSBT铁电薄膜、层层退火、择优取向、C-V特性

32

X937(安全工程)

国家自然科学基金资助项目50872075

2012-04-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

560-562

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青岛科技大学学报(自然科学版)

1672-6987

37-1419/N

32

2011,32(6)

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