10.3969/j.issn.1672-6987.2011.06.003
SiO2/Si基Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15薄膜的制备及C-V特性研究
利用sol-gel方法在SiO2/Si基板上制备了Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15 (CSBT)铁电薄膜,其中Si(100)为P型.利用XRD、SEM测试手段研究了CSBT铁电薄膜的结构与形貌,测试了Au/CSBT/SiO2/Si/Au结构的介电特性和C-V曲线.
CSBT铁电薄膜、层层退火、择优取向、C-V特性
32
X937(安全工程)
国家自然科学基金资助项目50872075
2012-04-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
560-562