Si掺杂立方HfO2的电子结构和光学性质的第一性原理计算

摘要：

采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了Si掺杂立方HfO2的电子结构及光学性质.计算结果表明,掺杂后立方HfO2的电子结构发生了变化,费米面进入了杂质带,同时由态密度图可知掺杂能级的形成主要是Si的3p轨道的贡献.经带隙校正后,计算了Si掺杂立方HfO2的光学线性响应函数随光子能量的变化关系,包括吸收光谱、复介电函数、复折射率、反射光谱、损失函数及复光电导谱.结果表明,由于掺杂能级的出现,导致了立方HfO2吸收带边的红移.

关键词：立方HfO2、Si掺杂、电子结构、光学性质、第一性原理

所属期刊栏目：31

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：航空科学基金项目2008ZF53058;教育部博士点基金项目200806991032;西北工业大学基础研究基金项目NWPU-FFR-W018108

在线出版日期：2010-04-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-5