10.6041/j.issn.1000-1298.2013.06.034
冷等离子体处理对大葱种子发芽特性的影响
运用冷等离子体种子处理技术对大葱种子进行小于20 s非电离幅射处理,研究该技术对于大葱种子发芽势和发芽率的影响.试验结果表明,经不同功率冷等离子体处理后,种子的发芽势和发芽率有明显变化.冷等离子体处理后放置20 d进行发芽试验,当处理功率为240 W时种子的发芽势和发芽率提高最大,分别比对照提高10.6%和5.2%.冷等离子体处理后放置20 d和放置4d进行发芽试验,大葱种子的发芽势和发芽率都比对照有明显改变,并且具有一致的规律性.
冷等离子体、大葱种子、发芽特性、发芽率、发芽势
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O539;S351.5(等离子体物理学)
国家高技术研究发展计划863计划资助项目2012AA10A505
2013-07-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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