a-Si:H薄膜的再结晶技术发展概述

摘要：

论述了非晶硅薄膜的主要再结晶技术,包括传统的炉子退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化、快速热退火和激光晶化.着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景.

关键词：非晶硅薄膜、再结晶技术、多晶硅薄膜、多晶硅薄膜太阳电池

分类号：O484.1(固体物理学)

在线出版日期：2005-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：20-23