GIS内置式特高频传感器电场分布研究

摘要：

内置式特高频传感器植入GIS腔体时，会对原有电场产生畸变，从而影响设备的安全运行。通过对内置式特高频传感器的不同植入位置进行电场计算，得到了不同植入位置时传感器对原有电场的畸变情况，在此基础上提出了内置式传感器的植入原则。结果表明：当传感器平面与GIS外壳呈水平或处于GIS预留腔体内时，传感器对原电场的影响可忽略不计。综合灵敏度的考虑，可将传感器平面与腔体外壳呈水平布置。

关键词：GIS、特高频、内置式传感器、电场分布

分类号：TM835.4(高电压技术)

在线出版日期：2013-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-4,29