10.16815/j.cnki.11-5436/s.2018.01.015
设计园艺半导体照明研发与产业发展评估
设施园艺半导体照明研发发展评估
中国半导体照明关键技术与国际水平差距不断缩小(表1),2014年大功率白光LED实验室光效达到160 lm/W,功率型白光LED产业化光效达150 lm/W;具有自主知识产权的功率型硅基LED芯片产业化光效达到140 lm/W;在国际上率先突破纳米图形衬底(NPSS)外延高质量AlN及深紫外LED,深紫外LED发光波长293 nm,在20 mA电流下输出功率超过4 mW;OLED器件光效达到97 lm/W,寿命超过10000 h.
半导体照明、产业发展、发展评估
38
TM923.34;TN312.8;F299.21
2018-05-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
76-77