快速求解导体电磁散射问题的插值退化核方法

摘要：

退化核函数将积分方程的核函数展开为场源点分离的函数积,可以用于构造积分方程的快速求解算法,项数少、精度高的退化核函数是快速算法的关键.文中针对导体电磁散射问题,研究由两种插值技术构造的退化核,推导了由拉格朗日(Lagrange)多项式和指数型高斯径向基函数构造的退化核,并比较了它们的精度和效率.此外,引入一种新的近表面插值点网格来减少退化核的项数.最后,结合H矩阵框架实现了导体电磁散射问题的快速求解,数值例算验证了插值退化核的有效性,近表面网格的采用可以显著提高算法的计算效率,相比均匀网格,计算时间减少将近45％.

关键词：电磁散射、退化核函数、拉格朗日多项式、径向基函数

所属期刊栏目：34

分类号：TN011;O441.4(一般性问题)

资助基金：国家自然科学基金61071021;东南大学毫米波国家重点实验室开放课题K201413;江苏省自然科学基金BK2012435;高等学校博士学科点专项科研基金20133223120005

在线出版日期：2015-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：47-51,56