考虑到纵向掺杂分布影响的SOI功率器件完全耐压模型

摘要：

首先将任意纵向掺杂的漂移区等效为均匀掺杂的漂移区,然后基于二维泊松方程获得了SOI功率器件在全耗尽和不全耗尽情况下表面电场和击穿电压的完整解析表达式.借助此模型对漂移区纵向均匀掺杂、高斯掺杂、线性掺杂和二阶掺杂SOI二极管的表面场势分布和击穿电压进行了研究,解析结果和仿真结果吻合较好,验证了模型的准确性.最后在满足最优表面电场和完全耗尽条件下,得到器件优化的广义RESURF判据.

关键词：绝缘体上硅、功率器件、击穿电压、模型

所属期刊栏目：34

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61076073;教育部博士点基金20133223110003;江苏省普通高校研究生科研创新计划CXZZ11_0382

在线出版日期：2014-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：85-89