退火条件对氧化钒薄膜电学性能的影响

摘要：

文中采用射频反应溅射法制备氧化钒薄膜,并用三段式控温退火炉对薄膜进行快速升降温退火处理.文中重点就退火条件对氧化钒薄膜的电学性能的影响进行了研究.研究结果表明:退火时间和退火温度均对薄膜电学性能有较大影响,考虑到氧化钒薄膜热敏性能要求,兼顾微测辐射热计制备工艺(即微电子机械系统(简称MEMS)工艺)要求,退火时间约1～2小时,退火温度应控制在400℃～500℃之间.

关键词：二氧化钒、快速升降温退火、电阻温度系数、微测辐射热计

所属期刊栏目：31

分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：南京邮电大学科研基金NY207029

在线出版日期：2012-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：117-120