胶体金量子点浮置栅MOS结构的制备及其C-V特性

摘要：

通过单相相转移法合成了胶体金纳米粒子,利用异种电荷之间的静电相互吸引作用,采用自组装技术制备了二维有序纳米金阵列.在此基础上,制备了在氧化层中内嵌纳米金颗粒的金属-氧化层-半导体(MOS)结构,并研究了其C-V特性.扫描电镜显示金粒子的直径在6~7 nm左右,C-V测量结果显示胶体金量子点浮置栅MOS结构存在3 V左右的平带电压偏移.通过这种方法制备的胶体金量子点浮置栅MOS结构可以在非挥发性存储器研究方面展现巨大的应用前景.

关键词：金属-氧化层-半导体(MOS)结构、电容-电压(C-V)、纳米金颗粒、自组装

所属期刊栏目：30

分类号：O472+.4;O484.4+2(半导体物理学)

资助基金：江苏省高校自然科学基金09KJB510014;南京邮电大学引进人才科研启动基金NY208057;南京邮电大学教学改革研究项目JG03309JX37

在线出版日期：2011-01-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：55-58