20～26 GHz硅基氮化镓可变增益低噪声放大器

摘要：

基于100 nm硅基氮化镓(GaN)工艺,本文设计并实现了一款工作频段为20～26 GHz且增益平坦的可变增益低噪声放大器(VGLNA).该放大器采用三级共源级级联来实现高增益,并通过调节第二、第三级的栅极偏置实现增益控制.测试结果表明,该放大器在工作频段内实现了超过20 dB的增益可变范围和±1.5 dB的增益平坦度,在增益可变范围内功耗为126 mW至413 mW.在最大增益状态下,该放大器在整个频段内可实现大于20 dB的小信号增益且噪声系数(NF)为2.95 dB至3.5 dB,平均输出1dB压缩点(OP1dB)约为14.5 dBm.该芯片的面积为2 mm2.

关键词：GaN HEMT;微波单片集成电路;低噪声放大器;可变增益放大器

所属期刊栏目：13

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家重点研发计划;广东省"珠江人才计划"引进创新创业团队项目

在线出版日期：2021-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：413-419