10.3969/j.issn.1001-4616.2007.01.011
Cu掺杂的NiO的制备及其超级电容器性能
采用低热固相反应法合成掺杂Cu的Ni(OH)2,将其在300℃下热处理得到相应的NiO.电化学测试表明:掺杂量为n(Ni):n(Cu)=100:0.25时,NiO电极的比容量最高,为99~120 F/g,具有良好的充放电性能,而不掺杂的只有83~111 F/g,因此掺杂Cu有利于提高NiO的电化学性能.
NiO、铜掺杂、超级电容器、低热固相反应
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O614.81+3(无机化学)
江苏省教育厅自然科学基金03KJB150056;南京师范大学校科研和教改项目2005103XYY1809
2007-04-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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