外尔半金属Co3Sn2S2薄膜的制备和电磁性质研究

摘要：

外尔半金属Co3Sn2S2是一种新型的拓扑量子材料,具有独特的拓扑能带结构,被认为是一种非常有潜力的自旋电子材料,而制备电子器件的重要一步是该材料的薄膜化.采用磁控溅射方法分别在SiO2(300 nm)/Si(100)和Al2O3(0001)衬底上生长Co3Sn2S2薄膜.X射线衍射(XRD,X-ray Diffraction)显示Co3Sn2S2薄膜的结构随厚度而变化.在不同衬底上,Co3Sn2S2薄膜的生长情况也不同,较薄的Co3Sn2S2(＜200 nm)适合生长在Al2O3(0001)衬底上,而较厚的Co3Sn2S2( ～5 μm)适合生长在SiO2(300 nm)/Si(100)衬底上.Co3Sn2S2纵向电阻率随着厚度的增加而增加,对导电起主要作用的表面层厚度保持在一定尺度内.

关键词：外尔半金属、Co3Sn2S2、磁控溅射法

所属期刊栏目：59

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

在线出版日期：2023-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：705-712