基于GaAs pHEMT工艺的宽带6位数字移相器MMIC

摘要：

基于 0.15 μm GaAs pHEMT(pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)工艺,研制 了一款 6位数字移相器微波单片集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC).该移相器由六个基本移相位级联组成,工作频带为10～18 GHz,步进值为5.625°,移相范围为0～360°,具有64个移相态.根据最优拓扑选择理论,5.625°,11.25°,22.5°移相位采用桥T型结构,降低了移相器的插损及面积;采用开关型高低通滤波器结构实现45°,90°,180°移相位,提高了大移相位的移相精度,并有效降低了寄生调幅.实测结果表明:64态移相寄生调幅均方根误差小于0.6 dB,移相输入输出回波损耗低于-11 dB,移相均方根误差小于4.2°,基态插入损耗低于8.6 dB.芯片尺寸为3.35 mm×1.40 mm.该数字移相器具有宽频带、高移相精度、尺寸小的特点,主要用于微波相控阵T/R组件、无线通信等领域.

关键词：GaAs pHEMT、宽带、数字移相器、微波单片集成电路

所属期刊栏目：59

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：中国科学院战略性先导科技专项;中国博士后科学基金

在线出版日期：2023-05-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：183-188