宽带低附加相移可变增益放大器

摘要：

基于 130 nm BiCMOS(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺提出一款超宽带低附加相移可变增益放大器.该设计采用可变增益放大器和开关衰减器的组合结构,其中可变增益放大器在宽带、高效率的反馈式放大器的基础上通过改变偏置实现增益控制,而开关衰减器的应用在拓宽增益控制范围的同时减小了偏置变化范围,从而减小了不同增益状态下的附加相移.提取版图寄生参数后的仿真结果表明:在1.6 V供电电压下,该可变增益放大器在3.5～11 GHz范围内增益平坦度小于士0.75 dB,增益控制范围为-22～10 dB,增益步进值为0.5 dB,噪声系数小于6.5 dB,不同增益状态下的附加相移小于士5°,电路输出1dB压缩点大于12 dBm,动态功耗小于155 mW.该可变增益放大器拓扑在满足项目需求的同时为减小可变增益放大器的附加相移提供了一种思路.

关键词：可变增益放大器、BiCMOS、附加相移、宽带

所属期刊栏目：58

分类号：TN722.7(基本电子电路)

资助基金：广东省重点领域研发计划2019B10156003

在线出版日期：2022-07-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：345-355