氢等离子体退火对氢化非晶硅结构有序度的影响

摘要：

室温下利用氢等离子体退火技术对氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行处理,通过傅立叶红外、光吸收、拉曼光谱3种测试手段对非晶硅的微结构进行了分析,发现不同的退火时间对a-Si:H的微结构影响很大,氢等离子体在与薄膜的化学反应过程中主要表现为原子氢(H0)与薄膜的反应.化学势很高的H0能将Si-Si弱键转变成Si-Si强键.硅网络结构发生弛豫,使结构由无序向有序转变,从而能够降低晶化温度与退火时间.

关键词：氢化非晶硅、微结构、等离子体退火、钝化、去钝化

所属期刊栏目：41

分类号：O472;O4845(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10374049,10174035,90301009,60425414;江苏省自然科学基金BK2002407

在线出版日期：2008-05-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：61-65