快速热退火对a-Si:H/SiO2多层膜光致发光的影响

摘要：

采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中沉积a-Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a-Si:H/SiO2多层膜.用快速热退火对a-Si:H/SiO2多层膜进行处理,制备nc-Si/SiO2多层膜,研究了这种方法对a-Si:H/SiO2多层膜发光特性的影响.研究发现对a-Si:H/SiO2多层膜作快速热退火处理,可获得位于绿光和红光两个波段的发光峰.研究了不同退火条件下发光峰的变化.通过对样品的TEM、Raman散射谱和红外吸收谱的分析,探讨了a-Si:H/SiO2多层膜在不同退火温度下的光致发光机理.

关键词：a-Si:H/SiO2多层膜、光致发光、快速热退火

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分类号：O484;O462.3(固体物理学)

资助基金：江苏省自然科学基金创新人才项目DK2004410;国家自然科学基金面上项目10174035,60471021;国家自然科学基金重大研究计划项目90301009

在线出版日期：2008-05-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：55-60