前言

摘要：

@@ 微电子和光电子器件是现代信息技术的硬件基础.半导体硅(Si)是当前制备微电子器件最重要的材料,但由于其间接带隙的能带结构和弱的电光效应,限制了在光电子器件方面的应用.几十年来,人们一直在探索能在单块Si片上集成微电子器件和光电子器件的途径,如果这一技术被突破,无疑将对未来的通讯、显示、计算机等信息技术产生深远的影响.因此,研究Si基发光特性及单片光电子集成已成为半导体和光电子科学领域中世界范围的研究热点.在探索Si基发光的征途中,20世纪90年代初英国科学家Canham首次报导了用电化学腐蚀法制备多孔硅(porous Si)在室温下的光致发光现象[1],打开了发光硅研究的大门,并证实多孔硅的发光与包含其中尺寸仅为纳米大小的Si晶粒的量子限制效应有关.随后在国内外掀起了研究发光多孔硅及纳米硅(nc-Si)的热潮.

机标关键词：光电子器件、发光多孔硅、微电子器件、代信息技术、量子限制效应、半导体、化学腐蚀法、光电子集成、制备、硬件基础、能带结构、纳米硅、科学领域、发光特性、电光效应、室温下、科学家、计算机、光现象

所属期刊栏目：41

分类号：TN3;O48

在线出版日期：2008-05-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

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