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10.3321/j.issn:0469-5097.2000.04.005

声学超晶格中的横场激发超声波产生

引用
从理论与实验两方面研究了横场激发技术对声学超晶格LiNbO(LN)晶体谐振特性的影响,两者之间得到了很好的吻合.采用提拉法,制得了沿Z轴生长的具有周期性铁电畴结构的LN单晶,将此晶体先Z切,再X切成样品,经过适当的处理后,在X面镀上电极,采用HP8510C网络分析仪测得的样品的横场激发谐振频率为502MHz,与理论计算的谐振频率500MHz基本一致.这种"横场激发"利用了LN的最大机电耦合系数,而且采用特殊的生长技术,可消除声光器件的声阻抗不匹配问题.此技术可望在新型声光器件方面得到应用.

铌酸锂、声学超晶格、横场激发、超声波的产生

36

O420(声学)

国家重点基础研究发展规划项目;国家自然科学基金项目69708007

2008-05-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

419-422

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0469-5097

32-1169/N

36

2000,36(4)

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