10.3969/j.issn.1001-5922.2022.03.042
基于纳米复合材料的光电化学传感器的制备
针对传统C3N4半导体材料光催化活性和吸收系数都较低的问题,提出用纳米Ag进行改性,并以改性后的Ag-C3N4复合材料为检测基底,制备光电化学传感器,进而分析制备的光电传感器性能.结果表明:掺入Ag后,C3N4半导体材料光催化活性和吸收系数都有所提高;传感器最佳配方:Ag质量分数为3%,偏压0.5 V,四环素适配体浓度1 μmol/L,传感器检测限为3.35 nmol/L.表现出良好的稳定性和选择性,能够用于四环素(TET)的定量检测.
光电化学传感器、四环素检测、Ag-C3N4复合材料、光电流响应
49
TQ436+.1;U445.4
2022-05-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
192-196