HBP-SiO2对氰酸酯树脂固化动力学的影响

摘要：

为了提高nano-SiO2树脂基体中的分散性,采用一种超支化聚硅氧烷修饰的纳米二氧化硅(HBP-SiO2)改性氰酸酯(CE)树脂.利用非等温差示扫描量热法(DSC)研究了HBP-SiO2/CE电子封装材料的固化动力学,求得其固化工艺参数和固化动力学参数分别为:凝胶温度150.17℃,固化温度197.81℃,后处理温度258.97℃；表现活化能11.22 kJ/mol,反应级数0.75,频率因子18 342.84 s-1.研究表明,HBP-SiO2的加入可以降低CE的活化能,使其固化反应可以在较低温度下进行.

关键词：超支化二氧化硅、氰酸酯树脂(CE)、固化反应动力学

分类号：TQ323

资助基金：航空科学基金2011ZF53064;西北工业大学基础研究基金JC201158

在线出版日期：2012-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：60-63