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10.3969/j.issn.1001-1935.2023.01.010

埋碳条件下石墨烯与硅粉反应过程研究

引用
为探究埋碳条件下石墨烯与硅粉的反应过程,对多层石墨烯(层数<30)和w(Si)=99.47%的硅粉于不同温度下(1000、1100、1200、1300、1400、1500、1600℃)热处理3 h,结合反应后试样的物相组成和显微结构,对试样的反应过程进行热力学分析和机制探究.结果表明:1)热处理温度为1000℃时,试样中出现了以SiC为晶核的无定形SiO2微球;2)热处理温度为1200℃时,生成以SiC纳米线为桥和桥上的无定形SiO2球体构成的串珠状晶须;3)热处理温度<1400℃时,SiO2微球和串珠状晶须的含量、直径均随着温度的升高逐渐增大;4)热处理温度为1500℃时,发生碳热还原反应,无定形SiO2含量逐渐减少,SiC纳米线含量增多;5)热处理温度为1600℃时,试样内均是SiC纳米线,且SiC纳米线的生长主要遵循气-固反应机制.

埋碳、石墨烯、SiO2微球、SiC纳米线

57

TQ175

河北省自然科学基金资助项目E2017209164

2023-02-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

45-49,54

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