水蒸气压力对两种SiC质耐火材料氧化速度的影响

摘要：

为改进SiC质耐火材料的抗氧化性测试方法,节省测试时间,研究了Si3 N4-SiC、Si2 N2 O/Si3 N4-SiC两种SiC质耐火材料在1000℃不同水蒸气压力(分别为0.10、0.11、0.13、0.15、0.17、0.19 MPa)下氧化不同时间(分别为20和40 h)后的氧化量,检测了氧化前后试样的质量和显气孔率,通过数理统计方法分析了质量变化率与水蒸气压力的数学关系.结果表明:Si3 N4-SiC和Si2 N2 O/Si3 N4-SiC质耐火材料在1000℃水蒸气中的氧化速度随水蒸气压力的提高而增大;在氧化20和40 h后,其质量变化率的二次方与水蒸气压力具有高度显著的线性关系,表明它们的氧化基本遵循经典的抛物线动力学方程.

关键词：SiC、氧化、水蒸气、压力

所属期刊栏目：56

分类号：TQ175

资助基金：郑洛新国家自主创新示范区创新引领性产业集群专项201200211500

在线出版日期：2022-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：312-314,319