10.3969/j.issn.1001-1935.2022.03.008
Si3N4粉粒度对振荡压力烧结Si3N4陶瓷的影响
为了提高Si3 N4陶瓷的烧结致密度,采用振荡压力烧结工艺分别在1745和1775℃制备了Si3 N4陶瓷,主要研究了Si3 N4粉的粒度(平均粒径分别为0.4、2.0、2.3μm)对Si3 N4陶瓷的显微结构和性能的影响.结果显示:1)在两种温度的振荡压力烧结工艺下,由三种不同粒度的Si3N4粉制备的Si3N4陶瓷的相对密度都很大,为99.65%~99.86%,彼此相差很小.2)由平均粒径为0.2μm的Si3 N4粉在1745℃烧结制备的试样的微观结构最均匀,其β-Si3N4晶粒平均长径比、抗弯强度和维氏硬度均最大,分别达到5.0、(1364±65)MPa和(15.72±0.8)GPa;由平均粒径为2.3μm的Si3 N4粉在1745℃烧结制备的试样的β-Si3 N4晶粒的平均长径比、抗弯强度和维氏硬度均最小,分别为3.3、(846±49)MPa和(13.82±0.8)GPa.
Si3N4陶瓷、振荡压力烧结、相对密度、长径比、抗弯强度、维氏硬度
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TQ175.1
2022-06-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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