二氧化硅源对活性氧化镁水化的抑制机制

摘要：

为了探明不同二氧化硅源对抑制 MgO 水化的机制，以 d50为6．119μm 的活性氧化镁粉为主要原料， d50＝0．111μm 的纳米 SiO2粉和硅酸钠为二氧化硅源，在25℃恒温条件下制备了水与固体粉质量比为81的氧化镁－氧化硅悬浮液，借助 pH 仪、电感耦合等离子体发射光谱仪、X 射线衍射仪及热重－差热仪等设备并结合热力学分析探讨了纳米 SiO2粉、Na2 SiO3对悬浮液中活性氧化镁水化的抑制作用。结果表明：随着纳米 SiO2粉引入量（w）由20％增加到60％，活性氧化镁的水化程度降低；添加0．3％～0．6％（w）硅酸钠可以有效抑制活性氧化镁的水化，当添加量为0．6％（w）时，活性氧化镁的水化率最低；添加 Na2 SiO3能显著增加悬浮液中 SiO2－3的质量浓度，同时使该悬浮液的 pH 升高到11．4～12．0，从而有效抑制氢氧化镁的生成。

关键词：氧化镁、水化、硅酸钠

分类号：TQ175.1+2

在线出版日期：2015-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：264-268