10.3969/j.issn.1001-1935.2015.04.006
二氧化硅源对活性氧化镁水化的抑制机制
为了探明不同二氧化硅源对抑制 MgO 水化的机制,以 d50为6.119μm 的活性氧化镁粉为主要原料, d50=0.111μm 的纳米 SiO2粉和硅酸钠为二氧化硅源,在25℃恒温条件下制备了水与固体粉质量比为81的氧化镁-氧化硅悬浮液,借助 pH 仪、电感耦合等离子体发射光谱仪、X 射线衍射仪及热重-差热仪等设备并结合热力学分析探讨了纳米 SiO2粉、Na2 SiO3对悬浮液中活性氧化镁水化的抑制作用。结果表明:随着纳米 SiO2粉引入量(w)由20%增加到60%,活性氧化镁的水化程度降低;添加0.3%~0.6%(w)硅酸钠可以有效抑制活性氧化镁的水化,当添加量为0.6%(w)时,活性氧化镁的水化率最低;添加 Na2 SiO3能显著增加悬浮液中 SiO2-3的质量浓度,同时使该悬浮液的 pH 升高到11.4~12.0,从而有效抑制氢氧化镁的生成。
氧化镁、水化、硅酸钠
TQ175.1+2
2015-09-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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