10.3969/j.issn.1001-1935.2010.06.007
放电等离子体烧结Si3N4-BN复合陶瓷性能研究
以Si3N4和BN粉末为原料,Si3N4-BN复合粉末中BN的体积分数分别选定为10%、20和30%,采用质量分数为2%的Al2O3和6%的Y2O3作为烧结助剂,分别在1 500、1 600和1 650 ℃,压力50 MPa,保温5 min的条件下,采用放电等离子体烧结法制备了致密Si3N4-BN复合陶瓷.XRD结果和SEM分析表明:当煅烧温度为1 650℃时,复合陶瓷中的α-Si3N4已完全转变为p-Si3N4;BN的加入抑制了复合陶瓷中Si3N4晶粒的生长而使结构细化;复合陶瓷的维氏硬度和断裂韧性随BN含量的增加而逐渐降低.
氮化硅、氮化硼、复合陶瓷、力学性能、放电等离子体烧结(SPS)
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TG1;TF1
国家自然科学基金项目50374007
2011-04-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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